通信行业研究周报:薄膜铌酸锂技术突破 国产调制器弯道超车图iIx3P85c1

  投资摘要:  每周一谈:  铌酸锂材料应用广泛,薄膜制备工艺成为重要突破方向。  铌酸锂晶体可广泛应用于光调制器、光隔离器、相位调制器、SAW滤波器、电光调Q开关等器件。  薄膜铌酸锂的制备应用了“smart-cut”技术,主要工艺流程包括离子注入、晶圆键合、退火解理、后处理,实现了更好的性能和更高的集成度。薄膜铌酸锂调制器性能优越,未来增长极具想象空间。  铌酸锂调制器具有频带宽、稳定性好、
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