碳化硅需求量高速增长，国内企业产能释放迎机遇图DUkEd4Tw1
发表于：2023-03-21 01:50:08
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热点速评 碳化硅（SiC）具有很多优势，作为一种宽禁带半导体材料，SiC临界击穿电场强度高，约比硅（Si）高10倍左右，导通电阻低，可使器件的导通损耗大大降低；SiC具备较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，可减少周边器件的使用，相同功率等级下封装尺寸更小，从而在整体上缩减了系统尺寸；SiC也有良好的热导率，更容易散热，工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃；S
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