图4:RS-ALD过程示意图l2X

  薄膜沉积是晶圆制造的三大核心步骤之一,薄膜的技术参数直接影响芯片性能。半导体器件的不断缩小对薄膜沉积工艺提出了更高要求,而ALD技术凭借沉积薄膜厚度的高度可控性、优异的均匀性和三维保形性,在半导体先进制程应用领域彰显优势。  用于薄膜沉积的技术包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)。其中ALD技术是一种将物质以单原子膜的形式逐层镀在基底表面的方法,能够实现纳米
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