金属新材料行业专题报：氮化镓：第三代半导体后起之秀，下游渗透潜力巨大图5dfilpxB2
发表于：2023-04-17 15:40:21
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投资要点 氮化镓（GaN）是最具代表性的第三代半导体材料之一，禁带宽度达到3.4eV。更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提价。 氮化镓衬底制备技术正不断突破，或成降本增效关键点 目前GaN单晶衬底以2-
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